Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 - Samsung…
Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 - Samsung…
Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory SEOUL, Korea, 26. November 2015…
Als erster Zulieferer von Halbleiterspeichern im Programm macht Samsung seine industrieweit führenden Lösungen für Automotive-Applikationen verfügbar Frankfurt am Main, 23.…