Fujitsu bringt ein neues Produkt der FRAM-V-Serie mit erweitertem Spannungsbereich auf den Markt

Betriebsspannung von 2,7 V bis 5,5 V ermöglicht den Fujitsu-Kunden mehr Flexibilität und Effizienz

Fujitsu bringt ein neues Produkt der FRAM-V-Serie mit einem erweiterten Spannungsbereich von 2,7 V bis 5,5 V auf den Markt. Seine Kunden können somit noch flexibler und effizienter arbeiten.

Langen, Deutschland, 23. Oktober 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) kündigte heute ein neues Modell für seine FRAM-V Produktserie mit einem erweiterten Spannungsbereich an. FRAMs (ferroelekritische RAM Speicher) werden weitläufig in Anwendungen wie Stromzählern, Fertigungsautomatisierung oder Überwachungssystemen eingesetzt. Der neu vorgestellte FRAM MB85RC256V besitzt die größte Speicherdichte der V-Serie und ist das erste FRAM-Produkt von Fujitsu mit einem nochmals erweiterten Spannungsbereich von 2,7 V bis 5,5 V. Dadurch sind Kunden bei der Gestaltung ihrer Anwendungen noch flexibler. Da der gesamte Spannungsbereich von 3,3 V und 5 V Systemen unterstützt wird, können Kunden mit dem MB85RC256V ihre Logistik- und Designprozesse jetzt noch effizienter gestalten.

Der neue FRAM der V-Serie enthält einen Speicher von 256 kBit mit einer Konfiguration von 32 k-Wörter zu 8 Bit. Der FRAM besitzt serielle I²C-Schnittstellen mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 400 kHz bei einer Betriebsspannung von 2,7 V bis 4,5 V bzw. maximal 1 MHz bei einer Betriebsspannung von 4,5 V bis 5,5 V. Alle Produkte dieser Serie sind in EEPROM-kompatiblen 8-Pin SOP-Gehäusen aus Kunststoff erhältlich. Auch in Bezug auf die Zuverlässigkeit hat Fujitsu signifikante Verbesserungen mit der V-Serie erreicht. Der MB85RC256V hat einen Datenerhalt von 10 Jahren bei 85 °C und ist für 1 Billion (1012) Schreib-/Lesezyklen ausgelegt. Somit ist die Funktion für den Industrie-Temperaturbereich von -40 bis +85 °C garantiert.

Fujitsu bietet ein breites Spektrum an FRAM-Speichern mit parallelen, I²C- oder SPI-Schnittstellen an. Die Speicherdichte reicht von 4 kBit bis zu 4 MBit. FRAM ist eine spezielle Form des nichtflüchtigen Speichers, der die Vorteile von SRAMs und EEPROMs kombiniert. Er zeichnet sich mit schnellen Schreibzyklen, extrem niedriger Leistungsaufnahme und einer praktisch unbegrenzten Anzahl von Schreib-/Lesezyklen aus. Durch die hauseigene Entwicklung und Fertigung kann Fujitsu die Zusammenarbeit zwischen den Design- und Fertigungsteams optimal gestalten. Auf dieser soliden Grundlage bringt das Unternehmen hochwertige Produkte auf den Markt und sorgt für eine stabile Lieferkette.

Verfügbarkeit
Muster der neuen Produkte werden ab heute ausgeliefert. Großbestellungen können ab sofort erfolgen.

Über Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU)

Fujitsu Semiconductor Europe ist einer der wichtigsten Zulieferer von „Right-Sized“ und fortschrittlichen Halbleiterlösungen. Das Unternehmen mit Hauptsitz in Langen bei Frankfurt am Main bedient die Märkte Automotive, Industrial, Communications und Home Entertainment. Die „Right-Sized“-Strategie von FSEU ist darauf ausgerichtet, Kunden maßgeschneiderte Lösungen und eine höchstmögliche Wertschöpfungstiefe bieten zu können. Ingenieure der europäischen Design-Zentren sowie Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen von Fujitsu, die sich analoger und Mixed-Signal-Technologie, Advanced Packaging, Mikrocontrollern, Grafikcontrollern, Multimedia ICs, ASICs und Embedded Software widmen, arbeiten eng mit Marketing- und Vertriebsteams in der EMEA-Region zusammen, um den Anforderungen der Kunden an deren Systementwicklung gerecht zu werden. FSEU-Teams stehen Kunden in Langen, München, Maidenhead bei London, Paris, Mailand, Budapest, Istanbul und Linz, Österreich mit technischem und anwendungsorientiertem Support zur Seite.

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