Halbleiter

Fujitsu Semiconductor bringt neue Produkte mit 1 Mbit und 2…

Mit einer höheren Energieeffizienz und weniger Platzbedarf sind sie optimiert für den Einsatz in Smart Metern, Industriemaschinen und medizinischen Geräten…

14 Jahren ago

Fujitsu zeigt ARM® CortexTM-M-Lösungen auf der Embedded World 2013

Besuchen Sie Fujitsu Semiconductor Europe auf den Messeständen unserer Partner Glyn, MSC und EBV At Embedded World 2013 FSEU presents…

14 Jahren ago

Fujitsu kündigt leistungsstarke MCU mit SHE-Coprozessor (Secure Hardware Extension) für…

Atlas-L", der neueste Baustein aus Fujitsus ARM Cortex-R4-Familie, bietet umfassende Sicherheitsfunktionen Fujitsu kündigt neue ARM Cortex-R4-basierte, leistungsstarke ‘Atlas-L’-MCU mit SHE-Coprozessor…

14 Jahren ago

RS erweitert branchenführendes Halbleiter-Angebot durch Online-Reseller-Vereinbarung mit STMicroelectronics

Wesentliche Erweiterung der Halbleiter-Optionen für Kunden durch großen Teil der ST Produktpalette (ddp direct) Mörfelden-Walldorf, 26. November 2012. - RS…

14 Jahren ago

Fujitsu bringt 16-kbit-FRAM mit ultraniedrigem Stromverbrauch im neuen SON-8-Package auf…

SON-8-Package für mobile Ausrüstung verlängert die Batterielebenszeit und spart Leiterplattenplatz Fujitsu bringt den 16-kbit-FRAM-Chip mit extrem niedrigem Stromverbrauch im neuem…

14 Jahren ago

Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten

GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Im Jahr 2013 läuft bei Fujitsu Semiconductor die Produktion von GaN-Leistungsbauelementen…

14 Jahren ago

Vishay Intertechnology: Gut aufgestellt für volatilen Markt

Finanzielle Solidität, Schlüsselmärkte, verstärkte technische Ressourcen Dr. Gerald Paul, CEO von Vishay Intertechnology: "Wir sind gut aufgestellt, bieten ausgereifte wie…

14 Jahren ago

Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges Power-Modul aus SiC CR5742 All-SiC Cree Power ModuleMünchen, 12. November 2012 - Cree, ein…

14 Jahren ago

Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen CR5680 50V GaN HEMT DevicesMünchen, 8. November 2012 - Cree, führender Anbieter…

14 Jahren ago

Broadband World Forum 2012: Broadcom präsentiert breites Band an Netzwerktechnologien…

Zahlreiche Neuigkeiten für Partner, Endkunden und Carrier auf dem Broadband World Forum - Partnerschaft mit D-Link München, 16. Oktober 2012:…

14 Jahren ago