Halbleiter

Fujitsu bringt 16-kbit-FRAM mit ultraniedrigem Stromverbrauch im neuen SON-8-Package auf…

SON-8-Package für mobile Ausrüstung verlängert die Batterielebenszeit und spart Leiterplattenplatz Fujitsu bringt den 16-kbit-FRAM-Chip mit extrem niedrigem Stromverbrauch im neuem…

14 Jahren ago

Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten

GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Im Jahr 2013 läuft bei Fujitsu Semiconductor die Produktion von GaN-Leistungsbauelementen…

14 Jahren ago

Vishay Intertechnology: Gut aufgestellt für volatilen Markt

Finanzielle Solidität, Schlüsselmärkte, verstärkte technische Ressourcen Dr. Gerald Paul, CEO von Vishay Intertechnology: "Wir sind gut aufgestellt, bieten ausgereifte wie…

14 Jahren ago

Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges Power-Modul aus SiC CR5742 All-SiC Cree Power ModuleMünchen, 12. November 2012 - Cree, ein…

14 Jahren ago

Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen CR5680 50V GaN HEMT DevicesMünchen, 8. November 2012 - Cree, führender Anbieter…

14 Jahren ago

Broadband World Forum 2012: Broadcom präsentiert breites Band an Netzwerktechnologien…

Zahlreiche Neuigkeiten für Partner, Endkunden und Carrier auf dem Broadband World Forum - Partnerschaft mit D-Link München, 16. Oktober 2012:…

14 Jahren ago