Fujitsu bringt 16-kbit-FRAM mit ultraniedrigem Stromverbrauch im neuen SON-8-Package auf… »
SON-8-Package für mobile Ausrüstung verlängert die Batterielebenszeit und spart Leiterplattenplatz Langen, 28. November 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) kündigt heute die Erweiterung…
Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten »
GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente…
Vishay Intertechnology: Gut aufgestellt für volatilen Markt »
Finanzielle Solidität, Schlüsselmärkte, verstärkte technische Ressourcen Selb/Malvern, 13. November 2012 – Als einer der größten Hersteller von passiven Bauelementen und diskreten Halbleitern agiert…
Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor »
Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges Power-Modul aus SiC München, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen…
Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie »
Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen München, 8. November 2012 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz-…
Broadband World Forum 2012: Broadcom präsentiert breites Band an Netzwerktechnologien… »
Zahlreiche Neuigkeiten für Partner, Endkunden und Carrier auf dem Broadband World Forum – Partnerschaft mit D-Link München, 16. Oktober 2012: Broadcom Corporation (NASDAQ:…